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IRF1010EZ中文資料
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Description
This HEXFET?Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Lead-Free
IRF1010EZ產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào)
IRF1010EZ
- 功能描述
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
- RoHS
否
- 類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安裝類型
通孔
- 封裝/外殼
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
- 包裝
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
|||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
12048 |
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開票。 |
|||
IR |
25+ |
TO263 |
20300 |
IR原裝特價(jià)IRF1010EZSTRLPBF即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
8000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
|||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-263 |
5600 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
|||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
|||
IR |
TO-262 |
12500 |
只做原裝支持實(shí)單需要聯(lián)系Q：235 |
||||
IR |
22+ |
D2-PAK |
9450 |
原裝正品，實(shí)單請(qǐng)聯(lián)系 |
|||
IR |
17+ |
TO-220AB |
31518 |
原裝正品 可含稅交易 |
|||
IR |
2021+ |
TO-263 |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià) |
IRF1010EZSTRLP 價(jià)格
參考價(jià)格：￥6.2426
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IRF1010EZ 芯片相關(guān)型號(hào)
- 24LC32AT
- 24LC32AX
- 5082-E101-GF000
- CY37128VP44-83BAXC
- CY3764VP44-83BAXC
- HDSP-F411-G0000
- HY27LF081G2M-TPEP
- HY27LF161G2M-VEP
- HY27SF161G2M-TEP
- HY27UF081G2M-VEP
- IRF1010EZPBF
- M38850FF-HP
- M38854FF-HP
- M38856FF-HP
- M38858FF-HP
- M95640-RMN6P
- M95640-SBN6P
- M95640-WMN6P
- MC68HC11XXXX
- MC68HC711KXXX
- PIC18F6525T-E/PT
- PIC18F8525-E/PT
- PIC18LF6525-I/PTQTP
- PSR11L
- PT928-6C
- RBM-0905S
- RBM-0909S
- RBM-1.812S
- SKBP005M
- TSH300ID
IRF相關(guān)芯片制造商
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- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
International Rectifier
中文資料: 32183條
International Rectifier Corporation（簡(jiǎn)稱IRF）是一家全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體制造商，成立于1947年，總部位于美國(guó)加利福尼亞州。IRF專注于開發(fā)和提供高效能的功率管理解決方案，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子、航空航天、通信和計(jì)算等多個(gè)領(lǐng)域。公司以其功率MOSFET聞名，提供多種類型的整流二極管，包括肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管，同時(shí)還開發(fā)IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和電源管理IC。IRF在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新和技術(shù)積累為其贏得了良好的聲譽(yù)，并于2014年被英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收購(gòu)，這一收購(gòu)旨在增強(qiáng)英飛凌在
