位置：IRF1010ZS > IRF1010ZS詳情
IRF1010ZS中文資料
IRF1010ZS數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書PDF詳情
AUTOMOTIVE MOSFET
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tempera ture, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
IRF1010ZS產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào)
IRF1010ZS
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- RoHS
否
- 類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安裝類型
通孔
- 封裝/外殼
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
- 包裝
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
|||
IR |
19+ |
TO-263-2 |
9600 |
||||
IR |
24+ |
TO-263 |
3573 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
|||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
|||
IR |
22+ |
D2-PAK |
9450 |
原裝正品，實(shí)單請(qǐng)聯(lián)系 |
|||
IR |
17+ |
D2-Pak |
31518 |
原裝正品 可含稅交易 |
|||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
D2PAK |
7793 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。 |
|||
INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
|||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
25900 |
新到現(xiàn)貨,只有原裝 |
||||
IR |
2015+ |
D2-Pak |
12500 |
全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存長(zhǎng)期供應(yīng) |
IRF1010ZSTRLPBF 價(jià)格
參考價(jià)格：￥4.1107
IRF1010ZS 資料下載更多...
IRF1010ZS 芯片相關(guān)型號(hào)
- AIC1766-CS08
- AIC2803
- HCPL0708
- HCPL-0708
- HCPL3180
- HCPL-3180-060
- HY29LV800B-90I
- HY29LV800T-90
- HY62KF08802B-SDI
- IMP16C552-IJ68
- IMP16C554-LJ68
- IRF6156
- IRFM240
- IRHNJ53130
- IRL3713S
- IRPLDIM1
- KA2S1265-TU
- KA2S1265-YDTU
- L-53F3C
- LA1247
- LA7831
- LC7821N
- UPSD3213B-24U6T
- UPSD3234A-24U6T
- XC6203E29ATB
- XC6203E362LB
- XC6203E552LB
- XC6203P352LB
- XC6203P372LB
- XC6203P462LB
IRF相關(guān)芯片制造商
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁(yè)碼索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
International Rectifier
中文資料: 32181條
International Rectifier Corporation（簡(jiǎn)稱IRF）是一家全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體制造商，成立于1947年，總部位于美國(guó)加利福尼亞州。IRF專注于開(kāi)發(fā)和提供高效能的功率管理解決方案，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子、航空航天、通信和計(jì)算等多個(gè)領(lǐng)域。公司以其功率MOSFET聞名，提供多種類型的整流二極管，包括肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管，同時(shí)還開(kāi)發(fā)IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和電源管理IC。IRF在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新和技術(shù)積累為其贏得了良好的聲譽(yù)，并于2014年被英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收購(gòu)，這一收購(gòu)旨在增強(qiáng)英飛凌在
