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IRF640N中文資料
IRF640N產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
IRF640N
- 功能描述
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
- RoHS
否
- 類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安裝類型
通孔
- 封裝/外殼
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
- 包裝
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF640NSTRRPBF-CUTTAPE 價格
參考價格：￥3.3315
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品牌IR現(xiàn)貨300K
2022-7-5IRF640NPBF原裝現(xiàn)貨
IRF640NPBF原裝正品
2021-8-9
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- C0201C153F4RC
- C062G102K2CG5CS
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- C412C689Z1U5HA
- C420C479Z1U5HA
- C420C569Z1U5HA
- C430C689Z1U5HA
- C440C569Z1U5HA
- EPA1140-30-RC
- EPA1140-350
- FR104G-T3
- FR153
- FR154-T3
- FR204-T3
- FR602
- GBJ4G
- IRF630N
- IRF640N_04
- VSSR2401103FT3
- XC6104D529
IRF相關(guān)芯片制造商
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International Rectifier
中文資料: 32181條
International Rectifier Corporation（簡稱IRF）是一家全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體制造商，成立于1947年，總部位于美國加利福尼亞州。IRF專注于開發(fā)和提供高效能的功率管理解決方案，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費電子、航空航天、通信和計算等多個領(lǐng)域。公司以其功率MOSFET聞名，提供多種類型的整流二極管，包括肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管，同時還開發(fā)IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和電源管理IC。IRF在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新和技術(shù)積累為其贏得了良好的聲譽(yù)，并于2014年被英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收購，這一收購旨在增強(qiáng)英飛凌在
