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Description
Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Ease of Paralleling
● Simple Drive Requirements
IRF640N產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
IRF640N
- 功能描述
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
- RoHS
否
- 類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列
HEXFET®
- 標(biāo)準包裝
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安裝類型
通孔
- 封裝/外殼
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
- 包裝
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF640NSTRRPBF-CUTTAPE 價格
參考價格：￥3.3315
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IRF640NPBF 原裝正品
品牌IR現(xiàn)貨300K
2022-7-5IRF640NPBF原裝現(xiàn)貨
IRF640NPBF原裝正品
2021-8-9
IRF640N 芯片相關(guān)型號
- HDSP-H401-ED000
- IDT54FCT162543ATEB
- IDT54FCT841BTLB
- IDT7130SA35FB
- IDT74FCT162827ETPFB
- IDT74FCT16823ATEB
- IDT74FCT16827ATEB
- IDT74FCT16H501ETPVB
- IDT74FCT821AL
- IDT79RV4640-180DZI
- ILC6371CP-50
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- ILC7062CP-30
- ILC7062CP-33
- ILC7070HCM-50
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International Rectifier
中文資料: 32183條
International Rectifier Corporation（簡稱IRF）是一家全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體制造商，成立于1947年，總部位于美國加利福尼亞州。IRF專注于開發(fā)和提供高效能的功率管理解決方案，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費電子、航空航天、通信和計算等多個領(lǐng)域。公司以其功率MOSFET聞名，提供多種類型的整流二極管，包括肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管，同時還開發(fā)IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和電源管理IC。IRF在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新和技術(shù)積累為其贏得了良好的聲譽，并于2014年被英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收購，這一收購旨在增強英飛凌在
