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IRF6604TR1中文資料
IRF6604TR1數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書PDF詳情
Description
The IRF6604 combines the latest HEXFET? Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance charge product in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and process. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, IMPROVING previous best thermal resistance by 80.
? Application Specific MOSFETs
? Ideal for CPU Core DC-DC Converters
? Low Conduction Losses
? Low Switching Losses
? Low Profile (<0.7 mm)
? Dual Sided Cooling Compatible
? Compatible with existing Surface Mount Techniques
IRF6604TR1產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào)
IRF6604TR1
- 功能描述
MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶體管極性
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓
650 V
- 閘/源擊穿電壓
25 V
- 漏極連續(xù)電流
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安裝風(fēng)格
Through Hole
- 封裝/箱體
Max247
- 封裝
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
SURFACEMOUNTCAN-DIRE |
10000 |
只做原裝歡迎含稅交易,假一賠十,放心購(gòu)買 |
|||
IR |
2021+ |
9450 |
原裝現(xiàn)貨。 |
||||
IR |
2021+ |
SURFACEMOUNTCAN-DIRE |
12000 |
勤思達(dá) 只做原裝 現(xiàn)貨庫(kù)存 |
|||
IR |
2021+ |
SURFACEMOUNTCAN-DIRE |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià) |
|||
IR |
24+ |
QFN |
45000 |
IR代理原包原盒,假一罰十。最低價(jià) |
|||
IR |
17+ |
SURFACEMO |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
|||
IR |
24+ |
原廠封裝 |
980 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
|||
IR |
2020+ |
QFN-8 |
1285 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
|||
IR |
1728+ |
SURFACEMOUNTCAN-DIRECTFE |
8500 |
只做原裝進(jìn)口,假一罰十 |
|||
IOR |
25+23+ |
SURFACEMOUN |
39697 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
IRF6604TR1 資料下載更多...
IRF6604TR1 芯片相關(guān)型號(hào)
- 241-910-0630G
- 241-910-0635C
- 39940-0523
- 39950-0103
- 39950-0105
- 3B02_15
- 74ACT251SCX
- 946812
- 946814
- EMK107BJ105KAHT
- GMK107BJ105MAHT
- IRFZ46NS
- PQ3350-3
- SDUR30100
- SDUR30100W
- SDURB1030
- SDURB1030CT
- SDURD830
- SDURF1660CT
- SPB-9110LVW-T5R3G_2015
- SPB-9605MLWG
- SPB-9605RG
- SPB-9605RWG
- SPB-9620MLWG
- SPB-9640BLWG
- SPB-9640WG_2015
- SPB-9720BMG
- SPB-9720BMWG
- SPB-9740AG
- SST506
IRF相關(guān)芯片制造商
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁(yè)碼索引
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- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
International Rectifier
中文資料: 32181條
International Rectifier Corporation（簡(jiǎn)稱IRF）是一家全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體制造商，成立于1947年，總部位于美國(guó)加利福尼亞州。IRF專注于開發(fā)和提供高效能的功率管理解決方案，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子、航空航天、通信和計(jì)算等多個(gè)領(lǐng)域。公司以其功率MOSFET聞名，提供多種類型的整流二極管，包括肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管，同時(shí)還開發(fā)IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和電源管理IC。IRF在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新和技術(shù)積累為其贏得了良好的聲譽(yù)，并于2014年被英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收購(gòu)，這一收購(gòu)旨在增強(qiáng)英飛凌在
