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IRF6608TR1中文資料
IRF6608TR1數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
Description
The IRF6608 combines the latest HEXFET? Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, IMPROVING previous best thermal resistance by 80.
● Application Specific MOSFETs
● Ideal for CPU Core DC-DC Converters
● Low Conduction Losses
● Low Switching Losses
● Low Profile (<0.7 mm)
● Dual Sided Cooling Compatible
● Compatible with existing Surface Mount Techniques
IRF6608TR1產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
IRF6608TR1
- 功能描述
MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶體管極性
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓
650 V
- 閘/源擊穿電壓
25 V
- 漏極連續(xù)電流
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安裝風(fēng)格
Through Hole
- 封裝/箱體
Max247
- 封裝
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF6608TR1 |
81535 |
81535 |
|||||
IR |
21+ |
SMD |
20000 |
全新原裝 公司現(xiàn)貨 價優(yōu) |
|||
IR |
24+ |
QFN |
7200 |
新進(jìn)庫存/原裝 |
|||
IR |
24+ |
原廠封裝 |
976 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
|||
IR |
23+ |
鐵面 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
|||
IOR |
23+ |
QFN54 |
8890 |
價格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢 |
|||
IR |
17+ |
SMD |
12000 |
只做全新進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨庫存 |
|||
IOR |
24+ |
QFN/5*4 |
90000 |
一級代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價格合理 |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
DIRECTFET? ST |
1000 |
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)! |
|||
IOR |
23+ |
QFN |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢 |
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- HMK212B7473MG-T
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International Rectifier
中文資料: 32182條
International Rectifier Corporation（簡稱IRF）是一家全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體制造商，成立于1947年，總部位于美國加利福尼亞州。IRF專注于開發(fā)和提供高效能的功率管理解決方案，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子、航空航天、通信和計(jì)算等多個領(lǐng)域。公司以其功率MOSFET聞名，提供多種類型的整流二極管，包括肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管，同時還開發(fā)IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和電源管理IC。IRF在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新和技術(shù)積累為其贏得了良好的聲譽(yù)，并于2014年被英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收購，這一收購旨在增強(qiáng)英飛凌在
