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IRF6635TR1中文資料
IRF6635TR1數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書PDF詳情
Description
The IRF6635 combines the latest HEXFET? Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80%.
? RoHs compliant containing no lead or bromide
? Low Profile (<0.7 mm)
? Dual Sided Cooling Compatible
? Ultra Low Package Inductance
? Optimized for High Frequency Switching
? Ideal for CPU Core DC-DC Converters
? Optimized for for SyncFET socket of Sync. Buck Converter
? Low Conduction and Switching Losses
? Compatible with existing Surface Mount Techniques
IRF6635TR1產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào)
IRF6635TR1
- 功能描述
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- RoHS
否
- 類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安裝類型
通孔
- 封裝/外殼
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
- 包裝
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
QFN |
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IR |
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QFN |
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原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
IRF6635TR1PBF-CUTTAPE 價(jià)格
參考價(jià)格：￥13.4608
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IRF6635TR1 芯片相關(guān)型號(hào)
- 136600
- 56352
- CMX100D10
- CMX100D6
- ESP32-S2-SOLO-2-N4R2
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- IRF6633TR1PBF
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- MAX25660
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- PCA82C250
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- PCA82C250T
- PCA82C250TSLASHYM,115
- TC88D-1-103E
IRF相關(guān)芯片制造商
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁(yè)碼索引
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- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
International Rectifier
中文資料: 32181條
International Rectifier Corporation（簡(jiǎn)稱IRF）是一家全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體制造商，成立于1947年，總部位于美國(guó)加利福尼亞州。IRF專注于開發(fā)和提供高效能的功率管理解決方案，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子、航空航天、通信和計(jì)算等多個(gè)領(lǐng)域。公司以其功率MOSFET聞名，提供多種類型的整流二極管，包括肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管，同時(shí)還開發(fā)IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和電源管理IC。IRF在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新和技術(shù)積累為其贏得了良好的聲譽(yù)，并于2014年被英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收購(gòu)，這一收購(gòu)旨在增強(qiáng)英飛凌在
