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IRF6691TR1中文資料
IRF6691TR1數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
● Application Specific MOSFETs
● Integrates Monolithic Trench Schottky Diode
● Ideal for CPU Core DC-DC Converters
● Low Conduction Losses
● Low Reverse Recovery Losses
● Low Switching Losses
● Low Reverse Recovery Charge and Low Vf
● Low Profile (<0.7 mm)
● Dual Sided Cooling Compatible
● Compatible with existing Surface Mount Techniques
IRF6691TR1產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
IRF6691TR1
- 功能描述
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶體管極性
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓
650 V
- 閘/源擊穿電壓
25 V
- 漏極連續(xù)電流
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安裝風格
Through Hole
- 封裝/箱體
Max247
- 封裝
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2019+ |
QFN |
36000 |
原盒原包裝 可BOM配套 |
|||
IR |
24+ |
DIRECTFET |
45000 |
IR代理原包原盒,假一罰十。最低價 |
|||
IR |
24+ |
原廠封裝 |
963 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
|||
IOR |
2007 |
DIRECTFET |
835 |
原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢 |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
DIRECTFET? MT |
1000 |
100%進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)! |
|||
IR |
24+ |
65230 |
|||||
INFINEON |
1503+ |
DIRECTFET? |
3000 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
|||
IR |
24+ |
QFN |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單! |
|||
IR |
21+ |
BGA |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
DirectFET? Isometric MT |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
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IRF6691TR1 芯片相關(guān)型號
- 136600
- 56352
- CMX100D10
- CMX100D6
- ESP32-S2-SOLO-2-N4R2
- ESP32-S2-SOLO-2-N8
- ESP32-S2-SOLO-2-N8R2
- ESP32-S2-SOLO-2U
- ESP32-S2-SOLO-2U-H4
- ESP32-S2-SOLO-2U-N16
- ESP32-S2-SOLO-2U-N16R2
- ESP32-S2-SOLO-2U-N4
- ESP32-S2-SOLO-2U-N4R2
- ESP32-S2-SOLO-2U-N8
- IRF6609TR1PBF
- IRF6610TR1PBF
- IRF6616TR1
- IRF6621TR1
- IRF6633TR1PBF
- IRF6635TR1
- IRF6637TR1PBF
- IRF6643TR1PBF
- IRF6643TRPBF
- IRF6643TRPBF_V01
- IRF6678TR1
- IRF6678TR1PBF
- IRF6712STR1PBF
- IRF7201TRPBF.
- MAX25660
- MAX25660_V01
IRF相關(guān)芯片制造商
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁碼索引
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- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
International Rectifier
中文資料: 32181條
International Rectifier Corporation（簡稱IRF）是一家全球領(lǐng)先的功率半導體制造商，成立于1947年，總部位于美國加利福尼亞州。IRF專注于開發(fā)和提供高效能的功率管理解決方案，其產(chǎn)品廣泛應用于汽車、工業(yè)、消費電子、航空航天、通信和計算等多個領(lǐng)域。公司以其功率MOSFET聞名，提供多種類型的整流二極管，包括肖特基二極管和超快恢復二極管，同時還開發(fā)IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和電源管理IC。IRF在功率半導體領(lǐng)域的創(chuàng)新和技術(shù)積累為其贏得了良好的聲譽，并于2014年被英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收購，這一收購旨在增強英飛凌在
