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IRFU1010Z中文資料
IRFU1010Z數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
? Advanced Process Technology
? Ultra Low On-Resistance
? 175°C Operating Temperature
? Fast Switching
? Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
IRFU1010Z產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
IRFU1010Z
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
- RoHS
否
- 類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安裝類型
通孔
- 封裝/外殼
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
- 包裝
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
|||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
TO-251 |
7845 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
|||
IR |
23+ |
TO-251 |
35890 |
||||
IR |
23+ |
TO-251 |
21400 |
專業(yè)優(yōu)勢供應(yīng) |
|||
IR |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
|||
IR |
20+ |
TO-251 |
38900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
|||
INFINEON |
1503+ |
TO-251 |
3000 |
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件! |
|||
IR |
23+ |
TO-251 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
|||
IR |
21+ |
TO-251 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
IRFU1010ZPBF 價(jià)格
參考價(jià)格：￥6.3378
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IRFU1010Z 芯片相關(guān)型號
- AAT3517IGV-4.10-B-B-T1
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- CTA11CCP241.2
- CTA11CCQ61.2
- CTA11CSP121.2
- CTA11CSP241.2
- CY3764VP208-100JXC
- EDR202A2400Z
- EDR2D1C2400Z
- EDR2D2A2400Z
- EDR3D1B2400Z
- EDR3D1C2400Z
- EDR3H1B2400Z
- HDSP-H111-FF000
- HDSP-H113-FF000
- ICS8308AGIT
- IRFR1010Z
- K4S64323LH-HE1L
- K4S64323LH-HF1H
- K4S64323LH-HF75
- K4S64323LH-HL60
- K6R4008C1D-JI10
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- LM258AD
- LM2904DGKR
- M29DW128F60NF1
- SMBJ5934A
- SMBJ5938A
- TLE2061MU
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IRF相關(guān)芯片制造商
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁碼索引
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- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
International Rectifier
中文資料: 32181條
International Rectifier Corporation（簡稱IRF）是一家全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體制造商，成立于1947年，總部位于美國加利福尼亞州。IRF專注于開發(fā)和提供高效能的功率管理解決方案，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子、航空航天、通信和計(jì)算等多個(gè)領(lǐng)域。公司以其功率MOSFET聞名，提供多種類型的整流二極管，包括肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管，同時(shí)還開發(fā)IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和電源管理IC。IRF在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新和技術(shù)積累為其贏得了良好的聲譽(yù)，并于2014年被英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收購，這一收購旨在增強(qiáng)英飛凌在
