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IRLZ24NLPBF數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
● Logic-Level Gate Drive
● Advanced Process Technology
● Surface Mount (IRLZ24NS)
● Low-profile through-hole (IRLZ24NL)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Lead-Free
IRLZ24NLPBF產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
IRLZ24NLPBF
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
- RoHS
是
- 類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安裝類型
通孔
- 封裝/外殼
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
- 包裝
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
|||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
|||
INFINEON |
1503+ |
TO-262 |
3000 |
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件! |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原裝正品，支持實(shí)單 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
||||
IR |
24+ |
TO-262-3 |
570 |
||||
IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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IRLZ24NLPBF 芯片相關(guān)型號
- 337-031-523-608
- 50F2D682JTV
- 83A1C-C20-K08L
- 83C2B-C20-K08L
- B37872R5101K041
- B41821A4478M002
- B41821F4688M002
- B41888C5188M002
- B41888C5568M002
- B41889A4477M003
- B41896C3478M001
- B43305A2108M002
- B43305C2687M002
- FU-650SDF-FW41M35
- FU-653SEA-V19F
- FU-653SEA-W19F
- FU-653SEA-W27F
- FU-68SDF-V902M65F
- FU-68SDF-W910M67F
- GT-100-5
- IRLIZ34NPBF
- ISL88031IU8HAZ
- LB-302FP
- M8S12TDJ-R
- M8S51TDJ-R
- MAH22FAD
- MHO+44FBD-R
- MHO+64FBD-R
- ST92150CV9T6
- XC6103A643
IRF相關(guān)芯片制造商
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁碼索引
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- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
International Rectifier
中文資料: 32183條
International Rectifier Corporation（簡稱IRF）是一家全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體制造商，成立于1947年，總部位于美國加利福尼亞州。IRF專注于開發(fā)和提供高效能的功率管理解決方案，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子、航空航天、通信和計(jì)算等多個(gè)領(lǐng)域。公司以其功率MOSFET聞名，提供多種類型的整流二極管，包括肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管，同時(shí)還開發(fā)IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和電源管理IC。IRF在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新和技術(shù)積累為其贏得了良好的聲譽(yù)，并于2014年被英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收購，這一收購旨在增強(qiáng)英飛凌在
