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FDB13AN06A0中文資料
FDB13AN06A0數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
FEATURES
·Drain Current : ID= 62A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage
: VDSS= 60V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 13.5mΩ(Max) @ VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
FDB13AN06A0產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào)
FDB13AN06A0
- 功能描述
MOSFET N-Channel PowerTrench
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶體管極性
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓
650 V
- 閘/源擊穿電壓
25 V
- 漏極連續(xù)電流
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安裝風(fēng)格
Through Hole
- 封裝/箱體
Max247
- 封裝
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO263 |
20300 |
ONSEMI/安森美原裝特價(jià)FDB13AN06A0即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
D2PAK-3 |
8357 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
|||
FAI |
24+ |
806 |
|||||
FAIRCHIL.. |
23+ |
TO-263 |
7500 |
絕對全新原裝!優(yōu)勢供貨渠道!特價(jià)!請放心訂購! |
|||
FAIRCHILD |
05+ |
原廠原裝 |
5623 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
|||
FAIRCHIL |
23+ |
TO-263 |
9960 |
價(jià)格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢 |
|||
MOSFET |
17+ |
TO-263-3 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
|||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
FDB13AN06A0 價(jià)格
參考價(jià)格:¥5.0075
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FDB13AN06A0 芯片相關(guān)型號(hào)
- 08055F104K4U4A
- 08055F104M4U4A
- 08C2001JP
- 2320500
- 23205005
- 23205006
- 23205007
- 603085
- 603086
- A3PN125Z1VQ100PP
- A3PN125Z1VQ100Y
- A3PN125Z1VQ100YES
- A3PN125Z1VQ100YI
- A3PN125Z1VQ100YPP
- ADIS16IMU2/PCBZ
- AM2303
- FLM-160-K
- FLM-160-K/Q
- FLM-160-L
- FLM-160-L/Q
- FLM-160-P
- GRM0335C1H8R2DA01
- LM324KANSR
- MD165C12J1
- MD165C16D2
- MD165C16J1
- MD165C18J1
- RC0805JR-073K3L
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁碼索引
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- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
Inchange Semiconductor Company Limited 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司isc成立于1991年,長期致力于功率半導(dǎo)體器件國產(chǎn)化替代進(jìn)口,擁有isc和iscsemi兩個(gè)品牌,獲得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH認(rèn)證。 我們自主研發(fā)生產(chǎn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有32年的積累,提供的產(chǎn)品包括MOSFET、IGBT、SiC二極管、SiC MOSFET、雙極型晶體管BJT、可控硅、二極管以及各種模塊,并可根據(jù)顧客要求設(shè)計(jì)、定制特殊產(chǎn)品。 我們的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用于汽車電子、新能源、變頻器、電力設(shè)施、儲(chǔ)能設(shè)備、軌道交通、工業(yè)控制系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、音響功放、家用電器等領(lǐng)域。 我們還生產(chǎn)供應(yīng)已停產(chǎn)、難以找到、冷門、逐漸萎縮的產(chǎn)品,同時(shí)也銷售