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SPD02N50C3中文資料
SPD02N50C3數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
? DESCRITION
? Improved transconductance
? FEATURES
? Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤3?
? Enhancement mode:
? 100 avalanche tested
? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
SPD02N50C3產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
SPD02N50C3
- 功能描述
MOSFET COOL MOS N-CH 560V 1.8A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶體管極性
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓
650 V
- 閘/源擊穿電壓
25 V
- 漏極連續(xù)電流
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安裝風格
Through Hole
- 封裝/箱體
Max247
- 封裝
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
24+ |
標準封裝 |
8548 |
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。 |
|||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SOT-252 |
17297 |
原裝進口假一罰十 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO252 |
6996 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 |
|||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO252-3 |
20000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-252 |
8000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-252 |
20000 |
進口原裝現(xiàn)貨 |
|||
INFINEON/英飛凌 |
19+ |
TO-220 |
2500 |
進口原裝假一賠十支持含稅 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO252 |
7936 |
||||
INFINEON |
24+ |
PG-TO252-3DPAK(TO- |
8866 |
||||
infineon |
1415+ |
TO-252(DPAK) |
28500 |
全新原裝正品,優(yōu)勢熱賣 |
SPD02N50C3BTMA1 價格
參考價格：￥2.9801
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- C3225X5R1C107F030AA
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- DV6300TD
- IIPW50R190CE
- IIPW50R299CP
- IIPW60R099CP
- ISPD04N50C3
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- LY62L102516LL-55LLI
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- PB1004
- QCN-45D
- QCV-271
- RB721Q-40
- RG125N
- RHC-160V471MJ9#B
- RHC-200V391MK9#B
- RHC-200V471MKA#B
- S15GYD2
- SSI-RM3091SYD-150
- TS3YJ503MR15
- TSM4ZL504KB25
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- P99
- P100
- P101
- P102
Inchange Semiconductor Company Limited 無錫固電半導體股份有限公司
中文資料: 27116條
無錫固電半導體股份有限公司isc成立于1991年，長期致力于功率半導體器件國產(chǎn)化替代進口，擁有isc和iscsemi兩個品牌，獲得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH認證。 我們自主研發(fā)生產(chǎn)功率半導體產(chǎn)品有32年的積累，提供的產(chǎn)品包括MOSFET、IGBT、SiC二極管、SiC MOSFET、雙極型晶體管BJT、可控硅、二極管以及各種模塊，并可根據(jù)顧客要求設(shè)計、定制特殊產(chǎn)品。 我們的功率半導體產(chǎn)品應(yīng)用于汽車電子、新能源、變頻器、電力設(shè)施、儲能設(shè)備、軌道交通、工業(yè)控制系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、音響功放、家用電器等領(lǐng)域。 我們還生產(chǎn)供應(yīng)已停產(chǎn)、難以找到、冷門、逐漸萎縮的產(chǎn)品，同時也銷售
