位置:SPD30N03S2L > SPD30N03S2L詳情
SPD30N03S2L中文資料
SPD30N03S2L數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
? DESCRITION
? Superior thermal resistance
? FEATURES
? Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤10m?
? Enhancement mode:
? 100 avalanche tested
? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
SPD30N03S2L產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
SPD30N03S2L
- 功能描述
MOSFET N-CH 30V 30A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶體管極性
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓
650 V
- 閘/源擊穿電壓
25 V
- 漏極連續(xù)電流
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安裝風格
Through Hole
- 封裝/箱體
Max247
- 封裝
Tube
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
TO-252 |
40040 |
INFINEON/英飛凌全新特價SPD30N03S2L-20G即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
|||
INFINEON |
2020+ |
TO-252 |
18600 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
|||
INF |
24+ |
TO-252-2 |
9860 |
全新原裝現(xiàn)貨/假一罰百! |
|||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SOT-252 |
17247 |
原裝進口假一罰十 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO252 |
6996 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 |
|||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-252 |
10000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
|||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
TO-252 |
7793 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
|||
INFIENION |
06+ |
原廠原裝 |
2481 |
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-252 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
|||
INFINEON |
23+ |
SOT-252 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
SPD30N03S2L 資料下載更多...
SPD30N03S2L 芯片相關型號
- 0260010801_17
- 3214JH
- 337-036-520-868
- C5750X6S1C107F030AA
- CC0805FKNPOABN121
- CC1206DFNPOCBB121
- CC1206FKNPOABN121
- CC1210GKNPOCBB121
- CC1808GRNPOABN121
- DC0710J5005AHF
- F863DC104K310A
- F863FRC104M310A
- L20G20IS
- LPA-C051301S
- LPF-S01125252S-14
- LTL1CHTBJ3AP2
- LY61L102516A_17
- LY62L1024RL-35LLI
- PE7001-10
- PE7003-3
- RHC-200V330MH5
- RPA-PB2-G-001
- SN74LVC1GU04_18
- V2F105C300Y1DTP
- V2F114C300Y1DTP
- VCAS080526D400TP
- VCAS181209D400TP
- VGAS322026N560DP
- VGAS322060K560DP
- W5F102-RD-10
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁碼索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
Inchange Semiconductor Company Limited 無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司isc成立于1991年,長期致力于功率半導體器件國產(chǎn)化替代進口,擁有isc和iscsemi兩個品牌,獲得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH認證。 我們自主研發(fā)生產(chǎn)功率半導體產(chǎn)品有32年的積累,提供的產(chǎn)品包括MOSFET、IGBT、SiC二極管、SiC MOSFET、雙極型晶體管BJT、可控硅、二極管以及各種模塊,并可根據(jù)顧客要求設計、定制特殊產(chǎn)品。 我們的功率半導體產(chǎn)品應用于汽車電子、新能源、變頻器、電力設施、儲能設備、軌道交通、工業(yè)控制系統(tǒng)、醫(yī)療設備、音響功放、家用電器等領域。 我們還生產(chǎn)供應已停產(chǎn)、難以找到、冷門、逐漸萎縮的產(chǎn)品,同時也銷售