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SPP02N60C3中文資料
SPP02N60C3數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書(shū)PDF詳情
? DESCRIPTION
? Ultra low gate charge
? Ultra low effective capacitance
? FEATURES
? Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤3?
? Enhancement mode
? Fast Switching Speed
? 100 avalanche tested
? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
SPP02N60C3產(chǎn)品屬性
- 類(lèi)型
描述
- 型號(hào)
SPP02N60C3
- 功能描述
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 1.8A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶體管極性
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓
650 V
- 閘/源擊穿電壓
25 V
- 漏極連續(xù)電流
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安裝風(fēng)格
Through Hole
- 封裝/箱體
Max247
- 封裝
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
2020+ |
TO-220 |
18600 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
|||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-220 |
18290 |
原裝進(jìn)口假一罰十 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-220 |
6000 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
|||
英飛翎 |
17+ |
TO-220 |
31518 |
原裝正品 可含稅交易 |
|||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
TO-220 |
7793 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。 |
|||
INFINEON/英飛凌 |
19+ |
TO-220 |
5000 |
進(jìn)口原裝假一賠十支持含稅 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO220 |
7850 |
只做原裝正品假一賠十為客戶(hù)做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
|||
INFINEON |
23+ |
T0-220 |
7936 |
||||
INFINEON |
24+ |
原封裝 |
1000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
|||
INFINEON |
10PHI |
TO-220 |
2500 |
原廠直銷(xiāo) |
SPP02N60C3XKSA1 價(jià)格
參考價(jià)格：￥2.9033
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SPP02N60C3 芯片相關(guān)型號(hào)
- 2,54UF38
- 2,54UFL35
- 5RF29
- 5RFL26
- 5UF24
- 5UFL28
- DTC114ECA
- DTC114ESA_13
- HI82H05W1G5GL
- HI82H07W1M1JI
- HI82H1W1G5KL
- HI82H1W1M1JL
- HI82H2W10GFI
- HI82H2W1G5ML
- HI82H2W1M1ML
- IPP65R310CFD
- IPW60R280E6
- LRC06HTRFRR002G
- LRC10HTRFRR002G
- LRC10HTRKBR002G
- LRC12FTRFSR020G
- MC12210D
- ML12017PP
- ML12019
- ML12034AP
- ML12061EP
- PEWCA1018
- PEWCP1026
- RJM73S100RCC3P
- RS3GB
ISC相關(guān)芯片制造商
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁(yè)碼索引
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- P97
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- P101
- P102
Inchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
中文資料: 27255條
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司isc成立于1991年，長(zhǎng)期致力于功率半導(dǎo)體器件國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)口，擁有isc和iscsemi兩個(gè)品牌，獲得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH認(rèn)證。 我們自主研發(fā)生產(chǎn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有32年的積累，提供的產(chǎn)品包括MOSFET、IGBT、SiC二極管、SiC MOSFET、雙極型晶體管BJT、可控硅、二極管以及各種模塊，并可根據(jù)顧客要求設(shè)計(jì)、定制特殊產(chǎn)品。 我們的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用于汽車(chē)電子、新能源、變頻器、電力設(shè)施、儲(chǔ)能設(shè)備、軌道交通、工業(yè)控制系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、音響功放、家用電器等領(lǐng)域。 我們還生產(chǎn)供應(yīng)已停產(chǎn)、難以找到、冷門(mén)、逐漸萎縮的產(chǎn)品，同時(shí)也銷(xiāo)售
