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SPP11N60C3中文資料
SPP11N60C3數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
? DESCRITION
? Ultra low gate charge
? High peak current capability
? Improved transconductance
? FEATURES
? Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.38?
? Enhancement mode
? Fast Switching Speed
? 100 avalanche tested
? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
SPP11N60C3產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào)
SPP11N60C3
- 功能描述
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 11A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶體管極性
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓
650 V
- 閘/源擊穿電壓
25 V
- 漏極連續(xù)電流
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安裝風(fēng)格
Through Hole
- 封裝/箱體
Max247
- 封裝
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEONE |
23+ |
TO-220 |
18689 |
原裝正品價(jià)格優(yōu)惠,長期優(yōu)勢供應(yīng) |
|||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-220 |
10000 |
只做原裝歡迎含稅交易,假一賠十,放心購買 |
|||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
TO-220 |
20300 |
INFINEON/英飛凌原裝特價(jià)SPP11N60C3即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
|||
ST |
851 |
TO-220 |
3300 |
全新原裝絕對自己公司現(xiàn)貨 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-220 |
65400 |
||||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-220 |
17703 |
原裝進(jìn)口假一罰十 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO220F |
6996 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 |
|||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-220 |
5 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
|||
INFINEON |
19+ |
300 |
PG-TO220-3 |
||||
INFINEON/英飛凌 |
21+ |
TO-220 |
8080 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
SPP11N60C3XKSA1 價(jià)格
參考價(jià)格:¥8.5863
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SPP11N60C3 芯片相關(guān)型號(hào)
- 319-10-164-00-001000
- 9T12062A4703FBHFT
- C1210X104K501T
- FAN53526UC128X
- FAN53555BUC24X
- FAN53611AUC205X
- LY621024LL-55LLE
- LY621024RL-35SLE
- LY6212816GL-45SLI
- LY6212816ML-70SLI
- LY622568SL-55SLET
- LY6251216AML-45SLT
- LY6251216ML-70LLT
- LY625128PL-45LL
- LY625128PL-45SL
- LY626416GL-45LLET
- ML145041-6P
- ML145145
- MMSZ5263B
- OVLBx4C7
- OVLFR3C7
- PE38756C-12
- PE38757I-60
- PE3C3251-36
- PE3C3252-24
- PEWCT1040
- PEWCT1041
- SPP20N60C3
- TMS320F28069PFPS
- U-DFN4030-14
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁碼索引
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- P100
- P101
- P102
Inchange Semiconductor Company Limited 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司isc成立于1991年,長期致力于功率半導(dǎo)體器件國產(chǎn)化替代進(jìn)口,擁有isc和iscsemi兩個(gè)品牌,獲得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH認(rèn)證。 我們自主研發(fā)生產(chǎn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有32年的積累,提供的產(chǎn)品包括MOSFET、IGBT、SiC二極管、SiC MOSFET、雙極型晶體管BJT、可控硅、二極管以及各種模塊,并可根據(jù)顧客要求設(shè)計(jì)、定制特殊產(chǎn)品。 我們的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用于汽車電子、新能源、變頻器、電力設(shè)施、儲(chǔ)能設(shè)備、軌道交通、工業(yè)控制系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、音響功放、家用電器等領(lǐng)域。 我們還生產(chǎn)供應(yīng)已停產(chǎn)、難以找到、冷門、逐漸萎縮的產(chǎn)品,同時(shí)也銷售