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STD12NF06L中文資料
STD12NF06L數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
FEATURES
· Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃
· Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min)
· Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 0.09Ω(Max)@VGS= 10V
APPLICATIONS
· Switch Mode Power Supply (SMPS)
· Uninterruptible Power Supply (UPS)
· Power Factor Correction (PFC)
STD12NF06L產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
STD12NF06L
- 制造商
STMicroelectronics
- 功能描述
MOSFET N LOGIC D-PAK
- 制造商
STMicroelectronics
- 功能描述
MOSFET, N, LOGIC, D-PAK
- 制造商
STMicroelectronics
- 功能描述
MOSFET, N, LOGIC, D-PAK; Transistor
- Polarity
N Channel; Continuous Drain Current
- Id
12A; Drain Source Voltage
- Vds
60V; On Resistance
- Rds(on)
80mohm; Rds(on) Test Voltage
- Vgs
10V; Threshold Voltage Vgs
- Typ
2V; Power Dissipation
- Pd
30W;RoHS
- Compliant
Yes
- 制造商
STMicroelectronics
- 功能描述
MOSFET N-Channel 60V 12A STripFETII DPAK
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO-251-CN |
32360 |
ST/意法全新特價STD12NF06L-1即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
|||
ST |
24+ |
TO252 |
9860 |
全新原裝現(xiàn)貨/假一罰百! |
|||
ST |
23+ |
TO251 |
6996 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 |
|||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
5 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
|||
FUJITSU/富士通 |
2021+ |
PLCC |
9000 |
全新原裝正品 現(xiàn)貨供應(yīng) |
|||
ST(意法) |
25+ |
5000 |
只做原裝 假一罰百 可開票 可售樣 |
||||
ST |
23+ |
TO-252 |
29600 |
一級分銷商! |
|||
STM |
23+ |
TO-252-3 (DPAK) |
2500 |
原裝現(xiàn)貨支持送檢 |
|||
ST/意法 |
2021+ |
TO-252 |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價 |
|||
ST(意法半導(dǎo)體) |
24+ |
TO-252 |
9555 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
STD12NF06LT4/BKN 價格
參考價格：￥1.5118
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STD12NF06L 芯片相關(guān)型號
- 27440312
- 631HE0B1ZD0XXXXBO10E1
- 631HE0B1ZD1XXXXBO10E1
- 631HE0B1ZD2XXXXBO10E1
- 631HE0B1ZD9XXXXBO10E1
- 631HE0B1ZDPXXXXBO10E1
- 631HE0B1ZDSXXXXBO10E1
- 631HE0B1ZDZXXXXBO10E1
- 631HE0B1ZZ0XXXXBO10E1
- 631HE0B1ZZ1XXXXBO10E1
- 631HE0B1ZZ2XXXXBO10E1
- 631HE0B1ZZ9XXXXBO10E1
- 631HE0B1ZZPXXXXBO10E1
- 631HE0B1ZZSXXXXBO10E1
- SMAJ24
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- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
Inchange Semiconductor Company Limited 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
中文資料: 27149條
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司isc成立于1991年，長期致力于功率半導(dǎo)體器件國產(chǎn)化替代進(jìn)口，擁有isc和iscsemi兩個品牌，獲得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH認(rèn)證。 我們自主研發(fā)生產(chǎn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有32年的積累，提供的產(chǎn)品包括MOSFET、IGBT、SiC二極管、SiC MOSFET、雙極型晶體管BJT、可控硅、二極管以及各種模塊，并可根據(jù)顧客要求設(shè)計(jì)、定制特殊產(chǎn)品。 我們的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用于汽車電子、新能源、變頻器、電力設(shè)施、儲能設(shè)備、軌道交通、工業(yè)控制系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、音響功放、家用電器等領(lǐng)域。 我們還生產(chǎn)供應(yīng)已停產(chǎn)、難以找到、冷門、逐漸萎縮的產(chǎn)品，同時也銷售
