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High-power GaAs FET (small signal gain stage)
S to X BAND / 0.15W non - matched
DESCRIPTION
The MGF1601B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic lasses, and has a configuration suitable for microstrip circuits.
FEATURES
High linear power gain
Glp=8.0dB @f=8GHz
High P1dB
P1dB=21.8dBm(TYP.) @f=8GHz
APPLICATION
?S to X Band medium-power amplifiers and oscillators
MGF1601B產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào)
MGF1601B
- 制造商
MITSUBISHI
- 制造商全稱
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述
High-power GaAs FET(small signal gain stage)
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI |
05+ |
GD10 |
30 |
原裝現(xiàn)貨價(jià)格有優(yōu)勢(shì)量大可以發(fā)貨 |
|||
MITSUBISHI |
23+ |
NA |
25060 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
|||
Mitsubishi |
23+ |
GD-11 |
35 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
GD-10 |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
NA/ |
1900 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
155 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
||||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
GD-10 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
|||
MITSUBISHI |
24+ |
2789 |
全新原裝自家現(xiàn)貨!價(jià)格優(yōu)勢(shì)! |
||||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
2988 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
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Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁(yè)碼索引
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Mitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機(jī)株式會(huì)社
三菱電機(jī)半導(dǎo)體(Mitsubishi Electric Semiconductor)是三菱電機(jī)株式會(huì)社的一部分,專注于半導(dǎo)體產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和制造。公司成立于20世紀(jì),并在全球范圍內(nèi)提供廣泛的半導(dǎo)體解決方案,涵蓋功率半導(dǎo)體、模擬和數(shù)字集成電路、微控制器和ASIC等產(chǎn)品。三菱電機(jī)半導(dǎo)體在電力、汽車、工業(yè)、通信以及消費(fèi)電子等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用,致力于不斷創(chuàng)新和技術(shù)進(jìn)步,以滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。憑借其強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和可靠的產(chǎn)品質(zhì)量,三菱電機(jī)半導(dǎo)體在全球半導(dǎo)體行業(yè)中占據(jù)重要地位。