150VN溝道X4級超結功率MOSFET，IXTP130N15X4

時間：2019-9-5 18:37:00

IXYS N 溝道 X4 級功率 MOSFET 可并聯(lián)工作，以滿足更高的電流要求

現(xiàn)推出采用電荷補償原理和專有工藝技術開發(fā)的功率半導體器件，從而使功率 MOSFET 的導通電阻 [RDS(ON)] 和柵極電荷 (Qg) 顯著降低。低導通電阻可降低傳導損耗，還可降低輸出電容中存儲的能量，從而最大限度地降低開關損耗。低 Qg 在輕負載時具有更高的效率以及更低的柵極驅動要求。此外，這些 MOSFET 具有雪崩功能，并擁有出色的 dv/dt 性能。其導通電阻為正溫度系數(shù)，它們可以并聯(lián)工作，以滿足更高的電流要求。

特性

低 RDS(on) 和低 Qg

dv/dt 穩(wěn)健性

雪崩耐量

國際標準封裝

應用

開關電源中的同步整流

電機控制（48 V 至 80 V 系統(tǒng)）

DC-DC 轉換器

不間斷電源

電動叉車

D 類音頻放大器

電信系統(tǒng)

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