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NAND01GW3B2CZA6F中文資料

廠家型號(hào) | NAND01GW3B2CZA6F |
文件大小 | 1638.5Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 | 67頁(yè) |
功能描述 | 1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Flash Mem Parallel 3V/3.3V 1G-Bit 128M x 8 25us 63-Pin VFBGA T/R |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
簡(jiǎn)稱(chēng) | NUMONYX |
生產(chǎn)廠商 | numonyx |
中文名稱(chēng) | |
LOGO |
NAND01GW3B2CZA6F數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書(shū)PDF詳情
Features
■ NAND interface
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed address/ data
– Pinout compatibility for all densities
■ Supply voltage: 1.8 V/3 V
■ Page size
– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes
– x16 device: (1024 + 32 spare) words
■ Block size
– x8 device: (128K + 4K spare) bytes
– x16 device: (64K + 2K spare) words
■ Page read/program
– Random access: 25 μs (max)
– Sequential access: 25 ns (min)
– Page program time: 200 μs (typ)
■ Copy back program mode
■ Cache read mode
■ Fast block erase: 2 ms (typ)
■ Status register
■ Electronic signature
■ Chip enable ‘don’t care’
■ Security features
– OTP area
– Serial number (unique ID)
– Non-volatile protection option
■ Data protection
– Hardware block locking
– Hardware program/erase locked during
power transitions
■ ONFI 1.0 support
– Cache read
– Read signature
– Read
■ Data integrity
– 100,000 program/erase cycles per block
(with ECC)
– 10 years data retention
■ RoHS compliant packages
■ Development tools
– Error correction code models
– Bad blocks management and wear leveling
algorithms
– Hardware simulation models
NAND01GW3B2CZA6F產(chǎn)品屬性
- 類(lèi)型
描述
- 型號(hào)
NAND01GW3B2CZA6F
- 制造商
Micron Technology Inc
- 功能描述
Flash Mem Parallel 3V/3.3V 1G-Bit 128M x 8 25us 63-Pin VFBGA T/R
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NUMONYX |
21+ |
BGA |
12588 |
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十 |
|||
NUMONYX |
23+ |
BGA |
8560 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)! |
|||
NUMONYX |
22+ |
BGA |
30000 |
只做原裝正品 |
|||
NUMONYX |
23+ |
原廠封裝 |
13528 |
振宏微原裝正品,假一罰百 |
|||
MICRON |
24+ |
BGA |
1000 |
MICRON專(zhuān)營(yíng)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
|||
MICRON美光 |
24+ |
BGA |
13500 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
|||
Micron |
17+ |
BGA |
6200 |
||||
Micron |
2020+ |
BGA |
10 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
|||
MICRON/美光 |
23+ |
BGA |
9920 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
|||
ST/意法 |
23+ |
BGA |
3000 |
一級(jí)代理原廠VIP渠道,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、 |
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numonyx
Numonyx是一家曾經(jīng)存在的存儲(chǔ)技術(shù)公司,于2008年由英特爾(Intel)和STMicroelectronics共同創(chuàng)立。Numonyx專(zhuān)注于非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)和閃存存儲(chǔ)器技術(shù),為客戶提供各種存儲(chǔ)解決方案和產(chǎn)品。 Numonyx的產(chǎn)品包括閃存存儲(chǔ)器、嵌入式存儲(chǔ)器、非易失性存儲(chǔ)器等,在計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、通信、汽車(chē)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。公司致力于技術(shù)創(chuàng)新與研發(fā),不斷提升產(chǎn)品性能、可靠性和創(chuàng)新性,以滿足客戶不斷增長(zhǎng)的需求。 2010年,美國(guó)存儲(chǔ)技術(shù)公司Micron Technology收購(gòu)了Numonyx,并將其整合為Micron的一部分。這一收購(gòu)使Micron得以拓展其存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)