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芯片資料

位置：D67437 > D67437詳情

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

These 32 W RF power LDMOS transistors are designed for cellular base

station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability

covering the frequency range of 1805 to 1880 MHz.

Features

? Designed for Wide Instantaneous Bandwidth Applications

? Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation

? Able to Withstand Extremely High Output VSWR and Broadband Operating Conditions

? Optimized for Doherty Applications

D67437供應(yīng)商...

更新時(shí)間：2025-7-22 16:08:00

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