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20N60L-T3P-T中文資料
20N60L-T3P-T數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書(shū)PDF詳情
■ DESCRIPTION
The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.
The UTC 20N60 is universally applied in motor control, UPS, DC choppers and switch-mode and resonant-mode power supplies.
■ FEATURES
* RDS(ON) = 0.45? @VGS = 10V
* High switching speed
20N60L-T3P-T產(chǎn)品屬性
- 類(lèi)型
描述
- 型號(hào)
20N60L-T3P-T
- 制造商
UTC-IC
- 制造商全稱(chēng)
UTC-IC
- 功能描述
20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UTC |
25+ |
TO-3P |
12300 |
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
|||
UTC/友順 |
2022+ |
TO-3P |
50000 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
|||
UTC/友順 |
23+ |
TO-3P |
79999 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳 |
|||
UTC/友順 |
2022+ |
TO-3P |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
|||
24+ |
N/A |
75000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
||||
INFINEON |
23+ |
TO220 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO220 |
7000 |
||||
CJ/長(zhǎng)電 |
24+ |
TO-3PN |
50000 |
只做原裝，歡迎詢(xún)價(jià)，量大價(jià)優(yōu) |
|||
FSC |
21+ |
TO-247 |
300 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
|||
INF進(jìn)口原 |
17+ |
220-247 |
6200 |
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Unisonic Technologies 友順科技股份有限公司
中文資料: 44005條
UTC集團(tuán)成立于1990年，專(zhuān)注致力于模擬IC及離散式組件Discrete 研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試及營(yíng)銷(xiāo)業(yè)務(wù)。 為提供客戶(hù)完整的解決方案及具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，公司經(jīng)營(yíng)策略采IDM資源垂直整合，期望能給予客戶(hù)最佳選擇，并創(chuàng)造客戶(hù)最大之經(jīng)濟(jì)效益。 IDM采取主動(dòng)的方式，從產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試到品牌營(yíng)銷(xiāo)， 在每一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)都充分掌握其自主的能力，以達(dá)到產(chǎn)能保障及技術(shù)自主，充分展現(xiàn)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。 UTC具有完整模擬組件產(chǎn)品線(xiàn)，產(chǎn)品以類(lèi)比IC為主(涵蓋電源管理、電源驅(qū)動(dòng)、運(yùn)算放大器、比較器、數(shù)字功放、 邏輯IC等)， 分立器件為主(涵蓋低壓MOS管 、高壓MOS管、超結(jié)MOS、IGBT單
