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L1119L-33-AB3-O-R中文資料
L1119L-33-AB3-O-R數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
DESCRIPTION
The UTC L1119is a fast ultra low-dropout linear regulator that developed in CMOS process which allows low quiescent current operation independent of output load current. This CMOS process
also allows the device to operate under extremely low dropout conditions. The UTC L1119allows to operate from a 2.5V~7.0V input supply. Wide range of preset output voltage options are available and respond very fast to step changes in load which makes them suitable for low voltage microprocessor applications.
FEATURES
* Low Ground Current
* Load Regulation of 0.04
* Output Current of 1.5A DC is Guaranteed
* Accurate Output Voltage.(± 1.5)
* Extremely Low Output Capacitor Requirements
* Over Temperature/ Over Current Protection
L1119L-33-AB3-O-R產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
L1119L-33-AB3-O-R
- 制造商
UTC-IC
- 制造商全稱
UTC-IC
- 功能描述
1.5A LOW DROPOUT REGULATORS
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UTC |
SOT23-5 |
64000 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
||||
UTC/友順 |
24+ |
NA |
8000 |
只做原裝，歡迎詢價，量大價優(yōu) |
|||
UTC/友順 |
23+ |
TO-252 |
13000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
|||
聯(lián)能電子 |
23+ |
N/A |
5000 |
傳感器專家,全系列在售 |
|||
聯(lián)能電子 |
23+ |
N/A |
60000 |
專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu) |
|||
C&K |
24+ |
SMD |
90000 |
一級代理商進口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價格合理 |
|||
C&K |
20+ |
開關(guān)元件 |
2896 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
|||
C&K |
24+ |
8600 |
正品原裝,正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
||||
C&K |
24+ |
con |
35960 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
|||
LT |
24+ |
SOP8 |
6980 |
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
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- P100
- P101
- P102
Unisonic Technologies 友順科技股份有限公司
中文資料: 44005條
UTC集團成立于1990年，專注致力于模擬IC及離散式組件Discrete 研發(fā)、設(shè)計、制造、封裝、測試及營銷業(yè)務(wù)。 為提供客戶完整的解決方案及具價格競爭優(yōu)勢，公司經(jīng)營策略采IDM資源垂直整合，期望能給予客戶最佳選擇，并創(chuàng)造客戶最大之經(jīng)濟效益。 IDM采取主動的方式，從產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計、制造、封裝、測試到品牌營銷， 在每一個關(guān)鍵點都充分掌握其自主的能力，以達到產(chǎn)能保障及技術(shù)自主，充分展現(xiàn)企業(yè)競爭力。 UTC具有完整模擬組件產(chǎn)品線，產(chǎn)品以類比IC為主(涵蓋電源管理、電源驅(qū)動、運算放大器、比較器、數(shù)字功放、 邏輯IC等)， 分立器件為主(涵蓋低壓MOS管 、高壓MOS管、超結(jié)MOS、IGBT單
