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SPP11N60C3中文資料
SPP11N60C3數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
FEATURES
? Reduced trr, Qrr, and IRRM
? Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
? Low input capacitance (Ciss)
? Low switching losses due to reduced Qrr
? Ultra low gate charge (Qg)
? Avalanche energy rated (UIS)
SPP11N60C3產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
SPP11N60C3
- 功能描述
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 11A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶體管極性
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓
650 V
- 閘/源擊穿電壓
25 V
- 漏極連續(xù)電流
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安裝風格
Through Hole
- 封裝/箱體
Max247
- 封裝
Tube
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEONE |
23+ |
TO-220 |
18689 |
原裝正品價格優(yōu)惠,長期優(yōu)勢供應 |
|||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-220 |
10000 |
只做原裝歡迎含稅交易,假一賠十,放心購買 |
|||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
TO-220 |
20300 |
INFINEON/英飛凌原裝特價SPP11N60C3即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
|||
ST |
851 |
TO-220 |
3300 |
全新原裝絕對自己公司現(xiàn)貨 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-220 |
65400 |
||||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-220 |
17703 |
原裝進口假一罰十 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO220F |
6996 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 |
|||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-220 |
5 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
|||
INFINEON |
19+ |
300 |
PG-TO220-3 |
||||
INFINEON/英飛凌 |
21+ |
TO-220 |
8080 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
SPP11N60C3XKSA1 價格
參考價格:¥8.5863
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VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體(臺灣)有限公司
微碧半導體(臺灣)有限公司(VBsemi Electronics Co.,Ltd)是一家國家高新技術企業(yè),專注于中低壓MOSFET(12V~250V)、高壓MOSFET(300V~1000V)、超結MOSFET(500V~1700V)功率MOSFET的制造,涵蓋了晶圓開發(fā)與設計、封裝與測試、銷售服務及技術支持。企業(yè)研發(fā)中心位于中國臺灣新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”為核心,積極開展大規(guī)模生產(chǎn),致力于為中高端市場的終端制造商提供服務。公司整體生產(chǎn)系統(tǒng)嚴格遵循ISO9001國際質(zhì)量標準,擁有20多項專利、軟件著作權及各類榮譽稱號。同時,企業(yè)引進了多臺先進的國外設備,涵蓋了功率器件的直