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TS8510VB_V02中文資料
TS8510VB_V02數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
DESCRIPTION
TS8510VB is a high power infrared, 855 nm surface emitting
diode in GaAlAs technology with high radiant power and
high speed. Polarity configuration is “n-up”.
FEATURES
? Package type: chip
? Package form: single chip
? Technology: surface emitter
? Dimensions chip (L x W x H in mm):
0.260 x 0.260 x 0.17
? Peak wavelength: ? = 855 nm
? Material categorization:
for definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
N/S |
24+ |
SOP |
7500 |
十年品牌!原裝現(xiàn)貨!!! |
|||
ST |
24+ |
SOP |
1000 |
||||
ST |
2025+ |
SOP |
3587 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售 |
|||
Tagore |
177 |
||||||
TESOEL |
2023+ |
25 |
|||||
ST |
22+ |
NA |
66900 |
原廠原裝現(xiàn)貨 |
|||
ST |
24+ |
NA |
200000 |
原裝進口正口,支持樣品 |
|||
ST |
24+ |
NA |
16900 |
支持樣品,原裝現(xiàn)貨,提供技術支持! |
|||
ST |
25+ |
NA |
16900 |
原裝，請咨詢 |
|||
ST |
2511 |
NA |
16900 |
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價 |
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TS8510VB_V02 芯片相關型號
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- RC0402FR1010ML
- RC0402FR1056KL
- RC0402FR1356KL
- RTBV302BSDED6K9025S
- S101032SS02BE
- S29CD016G0JFAM110
- S29CD032G0JQFM110
- S71PL256NB0HFW5B0
- SETBK7.62RDOA
- SGA3D150P0009SB
- TD1E15MSM-C
- TFEEJ6SA104AC
- TKJL0C11NILP
- TPV0C12B61MSN
- TS8514VB
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- VBN38SS1815PNT100
- VBNG38SS1815PNT100
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- P98
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- P100
- P101
- P102
Vishay Siliconix 威世科技半導體
中文資料: 358054條
Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一項革命性的技術。從那時起，我們將在幾十年內(nèi)不斷發(fā)展壯大，達到今天的地位：世界上最值得信賴的電子元件制造商之一。從分立式半導體到無源元件;從最小的二極管到最強大的電容器，Vishay我們稱之為技術的DNA。? 這種DNA不僅僅是當今最重要的電子產(chǎn)品的基礎設施，它還是實現(xiàn)增長的平臺。Vishay處于有利地位，可以推動可持續(xù)性、連通性和移動性等及時的宏觀經(jīng)濟增長動力。通過研發(fā)、制造、工程、質(zhì)量、銷售和市場營銷，我們產(chǎn)生了必要的組件，使發(fā)明者和創(chuàng)新者能夠創(chuàng)造新一代產(chǎn)品，這些產(chǎn)品跨越許多領域：汽車、工業(yè)、消費品、計算機、電信、軍事、航空航天和醫(yī)療
