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V20120C中文資料
| 廠家型號 | V20120C |
| 文件大小 | 167.06Kbytes |
| 頁面數(shù)量 | 5頁 |
| 功能描述 | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 簡稱 | VISHAY【威世科技】 |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| LOGO |
|
V20120C數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
? Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)
? Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
?? For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.
V20120C產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
V20120C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全稱
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
8000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
|||
Vishay(威世) |
24+ |
標準封裝 |
7898 |
原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價格優(yōu),支持賬期 |
|||
VISHAY |
21+ |
TO-220 |
2000 |
十年信譽,只做原裝,有掛就有現(xiàn)貨! |
|||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng) |
|||
VISHAY/威世 |
13+ |
TO-220 |
2773 |
深圳原裝進口無鉛現(xiàn)貨 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
11000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
||||
VISHAY |
11+ |
TO-220 |
337 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
|||
VISHAY |
23+ |
TO220 |
2550 |
原廠原裝正品 |
|||
VISHAY |
23+ |
TO220 |
8560 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣! |
|||
VISHAY |
23+ |
TO-220 |
8600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
V20120C-E3/4W 價格
參考價格：￥4.4750
V20120C 資料下載更多...
V20120C 芯片相關(guān)型號
- 16ST8515-3
- 200D128X0060A3
- 200D168X0060A4
- FSP3123K50AE
- FSP3123T33E
- LTL307JGD-0G1A
- M38500MAH-XXXSS
- M38502F9H-XXXSS
- MAL210267152E3
- MI-LC64-IX
- MI-MC24-IX
- MI-QC64-IX
- V048F020T012
- V20150S
- V48C48E500BS3
- VB20150S
- VB20200C
- VF20120C
- VF20120S-E3/4W
- VI20150C-E3/4W
- VI-B5Z-IX
- VI-J0-MX
- VI-JM-IX
- VI-JP-IX
- VI-JX-IX
- XC6122C241EL
- XC6122D740EL
- XC6122E241EL
- XC6122F640EL
- XC6205C192DL
VISHAY相關(guān)芯片制造商
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁碼索引
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- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
Vishay Siliconix 威世科技半導(dǎo)體
中文資料: 358129條
Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一項革命性的技術(shù)。從那時起，我們將在幾十年內(nèi)不斷發(fā)展壯大，達到今天的地位：世界上最值得信賴的電子元件制造商之一。從分立式半導(dǎo)體到無源元件;從最小的二極管到最強大的電容器，Vishay我們稱之為技術(shù)的DNA。? 這種DNA不僅僅是當(dāng)今最重要的電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)設(shè)施，它還是實現(xiàn)增長的平臺。Vishay處于有利地位，可以推動可持續(xù)性、連通性和移動性等及時的宏觀經(jīng)濟增長動力。通過研發(fā)、制造、工程、質(zhì)量、銷售和市場營銷，我們產(chǎn)生了必要的組件，使發(fā)明者和創(chuàng)新者能夠創(chuàng)造新一代產(chǎn)品，這些產(chǎn)品跨越許多領(lǐng)域：汽車、工業(yè)、消費品、計算機、電信、軍事、航空航天和醫(yī)療
