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VBT1545CBP-E3_V01中文資料
VBT1545CBP-E3_V01數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Meets MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 245 °C
? TJ 200 °C max. in solar bypass mode application
? Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
TYPICAL APPLICATIONS
For use in solar cell junction box as a bypass diode for
protection, using DC forward current without reverse bias.
MECHANICAL DATA
Case: D2PAK (TO-263AB)?
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade
Terminals: matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102?
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity: as marked
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CUI |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進口原裝 終端工廠免費送樣 |
|||
V-INFINITY |
23+ |
SMD8 |
11200 |
原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
|||
V-INFINITY |
2450+ |
SMD8 |
6540 |
只做原廠原裝正品終端客戶免費申請樣品 |
|||
CUI |
24+ |
250 |
|||||
CUI |
2021+ |
SOPSMD |
11000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
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VBT1545CBP-E3_V01 芯片相關型號
- 021ASM
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- 325-090-500-209
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- GRM32ER61A476KE20
- GRM32ER61A476KE20K
- GRM32ER61A476KE20L
- MGFS102405
- MGFS102405-Y2
- MGFS102412
- MGFS102415
- MGFS10243R3
- MGFS104805
- MGFS104812
- MGFS104815
- MGFS10483R3
- R1114N401L-TR-AE
- VBT1545CBP-E3
- VS-6ESU06-M3
- VS-6ESU06-M3_V01
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- P100
- P101
- P102
Vishay Siliconix 威世科技半導體
中文資料: 358147條
Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一項革命性的技術。從那時起，我們將在幾十年內不斷發(fā)展壯大，達到今天的地位：世界上最值得信賴的電子元件制造商之一。從分立式半導體到無源元件;從最小的二極管到最強大的電容器，Vishay我們稱之為技術的DNA。? 這種DNA不僅僅是當今最重要的電子產(chǎn)品的基礎設施，它還是實現(xiàn)增長的平臺。Vishay處于有利地位，可以推動可持續(xù)性、連通性和移動性等及時的宏觀經(jīng)濟增長動力。通過研發(fā)、制造、工程、質量、銷售和市場營銷，我們產(chǎn)生了必要的組件，使發(fā)明者和創(chuàng)新者能夠創(chuàng)造新一代產(chǎn)品，這些產(chǎn)品跨越許多領域：汽車、工業(yè)、消費品、計算機、電信、軍事、航空航天和醫(yī)療
