位置：IRF1010EZLPBF > IRF1010EZLPBF詳情
IRF1010EZLPBF中文資料
IRF1010EZLPBF數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
Description
This HEXFET?Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Lead-Free
IRF1010EZLPBF產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
IRF1010EZLPBF
- 功能描述
MOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶體管極性
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓
650 V
- 閘/源擊穿電壓
25 V
- 漏極連續(xù)電流
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安裝風格
Through Hole
- 封裝/箱體
Max247
- 封裝
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
|||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
|||
IR |
25+23+ |
TO-262 |
15573 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
|||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原裝 貨期兩周 |
||||
IR |
11+PBF |
TO-262 |
45 |
優(yōu)勢 |
|||
IR |
21+ |
TO-220 |
30000 |
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅 |
|||
INFINEON |
1503+ |
TO-262 |
3000 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
|||
IR |
1923+ |
TO-220 |
5000 |
正品原裝品質(zhì)假一賠十 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
|||
IR |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
IRF1010EZLPBF 價格
參考價格：￥5.3421
IRF1010EZLPBF 資料下載更多...
IRF1010EZLPBF 芯片相關型號
- 1G5UM
- 22-28-2120
- 2E8UM
- 3BU30R
- 3C05UM
- 3C2UM
- 3CU1R
- 3DU15L
- B32529D5335J189
- CSC1941
- CSC3329
- ICL3232CBNZ
- IRF3707ZCSTRR
- MABA-011029
- MCL4448
- MMSZ4697
- MMSZ4707
- P2AU_14
- P2BU-0505ELF
- P2BU-2409ELF
- P2IU-0512ELF
- P2KU-1212ELF
- P3BU-1218ELF
- P3IU-123R3ELF
- P3MU-2405ELF
- P5MU-0518ELF
- P5MU-1209ELF
- P6BU-2405ELF
- P6CG-1205ZSLF
- P6CU-1212ELF
IRF相關芯片制造商
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁碼索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
International Rectifier
中文資料: 32181條
International Rectifier Corporation（簡稱IRF）是一家全球領先的功率半導體制造商，成立于1947年，總部位于美國加利福尼亞州。IRF專注于開發(fā)和提供高效能的功率管理解決方案，其產(chǎn)品廣泛應用于汽車、工業(yè)、消費電子、航空航天、通信和計算等多個領域。公司以其功率MOSFET聞名，提供多種類型的整流二極管，包括肖特基二極管和超快恢復二極管，同時還開發(fā)IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和電源管理IC。IRF在功率半導體領域的創(chuàng)新和技術積累為其贏得了良好的聲譽，并于2014年被英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收購，這一收購旨在增強英飛凌在
