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| 型號(hào) | 功能描述 | 生產(chǎn)廠家&企業(yè) | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TZX9V1E-TAP | SmallSignalZenerDiodes FEATURES ?Verysharpreversecharacteristic ?Lowreversecurrentlevel ?Veryhighstability ?Lownoise ?AEC-Q101qualified ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Voltagestabilization | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 |  |   |
TZX9V1E-TAP | 封裝/外殼：DO-204AH，DO-35，軸向 包裝：卷帶（TR） 描述：DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 齊納 - 單 | ETC 知名廠家 | ETC | |
SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodes BCSeries SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodes | SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司 |  | | |
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SILICONPLANARZENERDIODES SILICONPLANARZENERDIODE | SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司 | | |
TZX9V1E-TAP產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào)
TZX9V1E-TAP
- 功能描述
穩(wěn)壓二極管 9.1 Volt 0.5W
- RoHS
否
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 齊納電壓
12 V
- 電壓容差
5 %
- 電壓溫度系數(shù)
0.075 %/K
- 功率耗散
3 W
- 最大反向漏泄電流
3 uA
- 最大齊納阻抗
7 Ohms
- 最大工作溫度
+ 150 C
- 安裝風(fēng)格
SMD/SMT
- 封裝/箱體
DO-214AC
- 封裝
Reel
| IC供應(yīng)商 | 芯片型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MURATA/村田 |
24+ |
NA/ |
3700 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
|||
MURATA |
2016+ |
SMD |
2692 |
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票! |
|||
muRata |
17+ |
SMD |
100000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
|||
MURATA |
2021+ |
60000 |
原裝現(xiàn)貨，歡迎詢價(jià) |
||||
CHINAXYJ |
23+ |
SMD |
9868 |
專做原裝正品,假一罰百! |
|||
村田 |
25+23+ |
SMD |
59111 |
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
|||
MURATA |
24+ |
SMD |
5500 |
長(zhǎng)期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談 |
|||
MURATA(村田) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
20000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品 |
|||
TI |
24+ |
QFN |
89 |
||||
MURATA |
24+ |
NA |
456300 |
一級(jí)代理/全新原裝現(xiàn)貨/長(zhǎng)期供應(yīng)! |
TZX9V1E-TAP芯片相關(guān)品牌
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2019-12-2U.FL-LP-N-2(01)
深圳科雨電子有限公司，聯(lián)系人：盧小姐手機(jī)：18975515225 原裝正品大量現(xiàn)貨，有需要的可以聯(lián)系我QQ:97877805微信：wei555222777
2019-5-17U1825DW-高速PWM控制器
高頻PWM控制ICUC1825系列最適合開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。特別注意通過(guò)比較，以最大限度地減少傳播延遲和邏輯電路，同時(shí)最大限度地提高帶寬和壓擺率誤差放大器。該控制器是專為使用在任一電流輸入電壓能力的模式或電壓模式系統(tǒng)饋。保護(hù)電路包括電流限制比較器與一個(gè)1V門檻，一個(gè)TTL兼容關(guān)機(jī)端口，和一個(gè)軟啟動(dòng)引腳這將增加一倍，作為最大占空比鉗位。這種邏輯是完全提供抖動(dòng)的自由運(yùn)作，并禁止多個(gè)脈沖鎖存輸出。與為800mV的滯后欠壓鎖定部分保證低啟動(dòng)電流。在欠壓鎖定，輸出高阻抗。這些器件具有圖騰柱輸出源和設(shè)計(jì)沉高容性負(fù)載的峰值電流，如門，功率MOSFET。對(duì)國(guó)家是一個(gè)高層次的設(shè)計(jì)。
2012-11-24
DdatasheetPDF頁(yè)碼索引
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