| 型號(hào) | 功能描述 | 生產(chǎn)廠家&企業(yè) | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
UPC1688G-T1-A,SCD14,BB301MAW-TL-E | UPC1688G-T1-A,SCD14,BB301MAW-TL-E |   |
| IC供應(yīng)商 | 芯片型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
18250 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票 |
|||
NEC |
24+ |
SOT-143 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
|||
RENESAS |
15+ |
SOT23-4 |
8840 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
|||
SOT-143 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
|||
NEC |
22+23+ |
SOT-143 |
8000 |
新到現(xiàn)貨，只做原裝進(jìn)口 |
|||
NEC |
23+ |
SOP-20P |
28610 |
||||
NEC |
25+23+ |
SOT-143 |
43152 |
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
|||
NEC |
17+ |
SOT-143 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
|||
NEC |
24+ |
SOT-143 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷(xiāo)售 |
|||
NEC |
24+ |
SOP-20P |
2500 |
UPC1688G-T1-A,SCD14,BB301MAW-TL-E芯片相關(guān)品牌
UPC1688G-T1-A,SCD14,BB301MAW-TL-E規(guī)格書(shū)下載地址
UPC1688G-T1-A,SCD14,BB301MAW-TL-E參數(shù)引腳圖相關(guān)
- wm7
- wimax網(wǎng)絡(luò)
- wcdma手機(jī)
- w5500
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- w200
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- viper22a
- viper22
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UPC1688G-T1-A,SCD14,BB301MAW-TL-E數(shù)據(jù)表相關(guān)新聞
UPC324G2-E2-A
UPC324G2-E2-A
2022-6-6UPB1509GV RENESAS/瑞薩
www.hfxcom.com
2021-12-9UP9616Q
UP9616Q,當(dāng)天發(fā)貨0755-82732291全新原裝現(xiàn)貨或門(mén)市自取.
2020-8-7UPC1093-可調(diào)節(jié)精密并聯(lián)穩(wěn)壓器
描述該mPC1093可調(diào)精密并聯(lián)穩(wěn)壓器的熱穩(wěn)定性保證。輸出電壓可設(shè)置之間的任何參考電壓（2.495V）和36V值由兩個(gè)外部電阻器。這些IC可應(yīng)用于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的誤差放大器。特征•高精度•低溫度系數(shù)•通過(guò)兩個(gè)外部電阻調(diào)節(jié)輸出電壓•低動(dòng)態(tài)阻抗訂購(gòu)信息型號(hào)封裝mPC1093J3針?biāo)芰细呒?jí)督察（至-92）mPC
2013-3-13UPC317-3終端正可調(diào)穩(wěn)壓器
描述mPC317是正電壓可調(diào)三端穩(wěn)壓器，其中有1.5一個(gè)輸出電流能力?？梢杂蓛蓚€(gè)外部電阻設(shè)置輸出電壓1.3V和30V之間的任何值。特點(diǎn)•超過(guò)1.5A的輸出電流•芯片上的一些保護(hù)電路（過(guò)電流保護(hù)，SOA保護(hù)和熱關(guān)機(jī)）。
2013-1-9UPC8112TB-IC
描述mPC8112TB是硅單片集成電路，第一頻率下轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)用于蜂窩/無(wú)繩電話接收階段。該IC組成的混頻器和地方放大器。mPC8112TB功能高阻抗集電極開(kāi)路輸出。mPC2757TB和mPC2758TB類(lèi)似的IC可提供低阻抗射極跟隨輸出。這些結(jié)核病后綴及晶片，體積更小比傳統(tǒng)T后綴集成電路的封裝有助于減少您的系統(tǒng)的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20GHz的FTNESAT™III硅雙極工藝制造。此過(guò)程使用氮化硅鈍化膜和金電極。這些材料可以從外部污染芯片表面保護(hù)防止腐蝕/遷移。因此，該IC具有優(yōu)良的性能，均勻性和可靠性。應(yīng)用
2012-12-14
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