型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠家&企業(yè) | LOGO | 操作 |
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RUGGEDandLIGHTWEIGHTALUMINUMBATTERYHOLDERS 文件:115.71 Kbytes Page:2 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商 | |||
3M??Temflex??VinylElectricalTape175 文件:127.76 Kbytes Page:2 Pages | 3M 3M Electronics | |||
TemperatureSensorsLineGuide 文件:736.09 Kbytes Page:11 Pages | HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韋爾霍尼韋爾國際 | |||
AutoLineTransformer 文件:345.58 Kbytes Page:2 Pages | HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司 | |||
AutoLineTransformer 文件:345.58 Kbytes Page:2 Pages | HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司 |
IC供應(yīng)商 | 芯片型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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TE |
18+ |
Connector |
300 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
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原廠 |
2023+ |
模塊 |
600 |
專營模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨 |
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TE/泰科 |
24+ |
21327 |
原廠現(xiàn)貨渠道 |
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Zilog |
24+ |
SOP |
6540 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
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DIALOG |
01+ |
TSSOP-28P |
66 |
原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢 |
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ONSEMI/安森美 |
24+ |
QFN |
60000 |
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TE/泰科 |
24+ |
CONNECTOR |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單! |
|||
PHOENIX/菲尼克斯 |
24+ |
37279 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
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TE/泰科 |
24+ |
NA |
23000 |
原裝現(xiàn)貨,專業(yè)配單專家 |
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XILINX/賽靈思 |
2403+ |
PLCC20 |
6489 |
原裝現(xiàn)貨熱賣!十年芯路!堅持! |
UPC175C規(guī)格書下載地址
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UPC324G2-E2-A
UPC324G2-E2-A
2022-6-6UPB1509GV RENESAS/瑞薩
www.hfxcom.com
2021-12-9UP9616Q
UP9616Q,當(dāng)天發(fā)貨0755-82732291全新原裝現(xiàn)貨或門市自取.
2020-8-7UPC1093-可調(diào)節(jié)精密并聯(lián)穩(wěn)壓器
描述該mPC1093可調(diào)精密并聯(lián)穩(wěn)壓器的熱穩(wěn)定性保證。輸出電壓可設(shè)置之間的任何參考電壓(2.495V)和36V值由兩個外部電阻器。這些IC可應(yīng)用于開關(guān)穩(wěn)壓器的誤差放大器。特征•高精度•低溫度系數(shù)•通過兩個外部電阻調(diào)節(jié)輸出電壓•低動態(tài)阻抗訂購信息型號封裝mPC1093J3針?biāo)芰细呒壎讲欤ㄖ?92)mPC
2013-3-13UPC317-3終端正可調(diào)穩(wěn)壓器
描述mPC317是正電壓可調(diào)三端穩(wěn)壓器,其中有1.5一個輸出電流能力。可以由兩個外部電阻設(shè)置輸出電壓1.3V和30V之間的任何值。特點•超過1.5A的輸出電流•芯片上的一些保護(hù)電路(過電流保護(hù),SOA保護(hù)和熱關(guān)機)。
2013-1-9UPC8112TB-IC
描述mPC8112TB是硅單片集成電路,第一頻率下轉(zhuǎn)換器設(shè)計用于蜂窩/無繩電話接收階段。該IC組成的混頻器和地方放大器。mPC8112TB功能高阻抗集電極開路輸出。mPC2757TB和mPC2758TB類似的IC可提供低阻抗射極跟隨輸出。這些結(jié)核病后綴及晶片,體積更小比傳統(tǒng)T后綴集成電路的封裝有助于減少您的系統(tǒng)的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20GHz的FTNESAT™III硅雙極工藝制造。此過程使用氮化硅鈍化膜和金電極。這些材料可以從外部污染芯片表面保護(hù)防止腐蝕/遷移。因此,該IC具有優(yōu)良的性能,均勻性和可靠性。應(yīng)用
2012-12-14
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