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SPD02N60C3中文資料
SPD02N60C3數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
FEATURES
? Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
? Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
SPD02N60C3產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
SPD02N60C3
- 功能描述
MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V 1.8A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶體管極性
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓
650 V
- 閘/源擊穿電壓
25 V
- 漏極連續(xù)電流
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安裝風(fēng)格
Through Hole
- 封裝/箱體
Max247
- 封裝
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
16+/17+ |
TO-252 |
3500 |
原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)56 |
|||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SOT-252 |
17298 |
原裝進口假一罰十 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO252 |
6996 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 |
|||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO252-3 |
20000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
|||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
|||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
TO-252 |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價 |
|||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
TO-252 |
7793 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
|||
INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng) |
|||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
25650 |
新到現(xiàn)貨,只做原裝進口 |
||||
INFINEON |
2430+ |
TO252 |
8540 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!! |
SPD02N60C3 價格
參考價格：￥2.5832
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SPD02N60C3 芯片相關(guān)型號
VBSEMI相關(guān)芯片制造商
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VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司
中文資料: 9674條
微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司（VBsemi Electronics Co.,Ltd）是一家國家高新技術(shù)企業(yè)，專注于中低壓MOSFET（12V~250V）、高壓MOSFET（300V~1000V）、超結(jié)MOSFET（500V~1700V）功率MOSFET的制造，涵蓋了晶圓開發(fā)與設(shè)計、封裝與測試、銷售服務(wù)及技術(shù)支持。企業(yè)研發(fā)中心位于中國臺灣新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”為核心，積極開展大規(guī)模生產(chǎn)，致力于為中高端市場的終端制造商提供服務(wù)。公司整體生產(chǎn)系統(tǒng)嚴(yán)格遵循ISO9001國際質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，擁有20多項專利、軟件著作權(quán)及各類榮譽稱號。同時，企業(yè)引進了多臺先進的國外設(shè)備，涵蓋了功率器件的直
