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IRF1010N中文資料
IRF1010N數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
VDSS = 55V
RDS(on) = 11m?
ID = 85A?
Description
Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
IRF1010N產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
IRF1010N
- 功能描述
MOSFET MOSFET, 55V, 72A, 11 mOhm, 80 nC Qg, TO-220AB
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶體管極性
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓
650 V
- 閘/源擊穿電壓
25 V
- 漏極連續(xù)電流
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安裝風格
Through Hole
- 封裝/箱體
Max247
- 封裝
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
|||
IR |
TO-220 |
7510 |
專業(yè)分銷全系列產(chǎn)品!絕對原裝正品!量大可訂!價格優(yōu) |
||||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
TO-220 |
20300 |
INFINEON/英飛凌原裝特價IRF1010NPBF即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
|||
IR |
15+ |
原廠原裝 |
8700 |
進口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
|||
IR/VISHAY |
SOT-263 |
30216 |
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
IR |
23+ |
TO-220 |
65400 |
||||
IR |
24+ |
D2-PAK |
4000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
|||
INFINEON/IR |
13+ |
1600 |
TO-263-3 (D2PAK) |
||||
IR |
22+ |
TO-262 |
9450 |
原裝正品，實單請聯(lián)系 |
|||
IR |
17+ |
D2-Pak |
31518 |
原裝正品 可含稅交易 |
IRF1010NSTRLPBF 價格
參考價格：￥2.4902
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- P99
- P100
- P101
- P102
International Rectifier
中文資料: 32181條
International Rectifier Corporation（簡稱IRF）是一家全球領先的功率半導體制造商，成立于1947年，總部位于美國加利福尼亞州。IRF專注于開發(fā)和提供高效能的功率管理解決方案，其產(chǎn)品廣泛應用于汽車、工業(yè)、消費電子、航空航天、通信和計算等多個領域。公司以其功率MOSFET聞名，提供多種類型的整流二極管，包括肖特基二極管和超快恢復二極管，同時還開發(fā)IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和電源管理IC。IRF在功率半導體領域的創(chuàng)新和技術積累為其贏得了良好的聲譽，并于2014年被英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收購，這一收購旨在增強英飛凌在
