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IRF1010EZSPBF中文資料
IRF1010EZSPBF數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書(shū)PDF詳情
Description
This HEXFET?Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Lead-Free
IRF1010EZSPBF產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào)
IRF1010EZSPBF
- 功能描述
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 58nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶體管極性
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓
650 V
- 閘/源擊穿電壓
25 V
- 漏極連續(xù)電流
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安裝風(fēng)格
Through Hole
- 封裝/箱體
Max247
- 封裝
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
|||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
12048 |
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開(kāi)票。 |
|||
IR/INFINEON |
16+ |
TO-263 |
300 |
只做進(jìn)口原裝假一賠百 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
400 |
||||
IR |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
|||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原裝 貨期兩周 |
||||
IR |
15+/16+PBF |
TO-263 |
3205 |
現(xiàn)貨 |
|||
INFINEON |
1503+ |
TO-263 |
3000 |
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IRF1010EZSPBF 價(jià)格
參考價(jià)格：￥3.5335
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- P101
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International Rectifier
中文資料: 32181條
International Rectifier Corporation（簡(jiǎn)稱IRF）是一家全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體制造商，成立于1947年，總部位于美國(guó)加利福尼亞州。IRF專注于開(kāi)發(fā)和提供高效能的功率管理解決方案，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子、航空航天、通信和計(jì)算等多個(gè)領(lǐng)域。公司以其功率MOSFET聞名，提供多種類型的整流二極管，包括肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管，同時(shí)還開(kāi)發(fā)IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和電源管理IC。IRF在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新和技術(shù)積累為其贏得了良好的聲譽(yù)，并于2014年被英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收購(gòu)，這一收購(gòu)旨在增強(qiáng)英飛凌在
