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IRF1010EZS中文資料
IRF1010EZS數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書PDF詳情
FEATURES
·Drain Current -ID=75A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 8.5mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
IRF1010EZS產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào)
IRF1010EZS
- 功能描述
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
- RoHS
否
- 類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安裝類型
通孔
- 封裝/外殼
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
- 包裝
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
12048 |
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開票。 |
|||
IR |
25+ |
TO263 |
20300 |
IR原裝特價(jià)IRF1010EZSTRLPBF即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
|||
IR |
SOT-263 |
30216 |
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
IR |
24+ |
TO-263 |
8000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
|||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-263 |
5600 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
|||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
|||
IR |
22+ |
D2-PAK |
9450 |
原裝正品，實(shí)單請(qǐng)聯(lián)系 |
|||
IR |
2021+ |
TO-263 |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià) |
|||
INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
|||
IR/INFINEON |
16+ |
TO-263 |
300 |
只做進(jìn)口原裝假一賠百 |
IRF1010EZSTRLP 價(jià)格
參考價(jià)格：￥6.2426
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IRF1010EZS 芯片相關(guān)型號(hào)
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- 5407UE-0081000
- 6144
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- AAT3159ITO-T1
- AAT3238IGU-3.0-T1
- AAT3238IGU-3.3-T1
- AAT3238IGU-3.5-T1
- AAT3518
- ADL-85051TL
- AFE88101
- AFE88101RRUR
- AFE88101RRUT
- AFE881H1
- AFE881H1RRUR
- AFE881H1RRUT
- DW6000-155-8C-H1441
- MYMGK1R812FRSR
- MYMGK1R812FRSRD
- MYMGK1R812FRSR-H
- MYMGK1R812FRSR-HD
- OPA991-Q1_V07
- OPA991-Q1_V08
- SA36A
ISC相關(guān)芯片制造商
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁碼索引
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- P100
- P101
- P102
Inchange Semiconductor Company Limited 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
中文資料: 27116條
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司isc成立于1991年，長期致力于功率半導(dǎo)體器件國產(chǎn)化替代進(jìn)口，擁有isc和iscsemi兩個(gè)品牌，獲得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH認(rèn)證。 我們自主研發(fā)生產(chǎn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有32年的積累，提供的產(chǎn)品包括MOSFET、IGBT、SiC二極管、SiC MOSFET、雙極型晶體管BJT、可控硅、二極管以及各種模塊，并可根據(jù)顧客要求設(shè)計(jì)、定制特殊產(chǎn)品。 我們的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用于汽車電子、新能源、變頻器、電力設(shè)施、儲(chǔ)能設(shè)備、軌道交通、工業(yè)控制系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、音響功放、家用電器等領(lǐng)域。 我們還生產(chǎn)供應(yīng)已停產(chǎn)、難以找到、冷門、逐漸萎縮的產(chǎn)品，同時(shí)也銷售
